RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3256
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link