RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1771
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link