RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2298
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link