RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link