RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2388
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link