RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
19.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
4240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link