RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
39
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2529
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link