RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link