Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 58
    Rund um 59% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    18.3 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 58
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 18.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 8.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 2181
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