RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2121
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link