RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link