RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3465
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link