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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3095
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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