RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
3564
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link