RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
1891
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link