RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
3372
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM-Vergleiche
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link