RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3711
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link