RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
34
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2468
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link