RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1989
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link