RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
61
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
6.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
2339
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link