RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,254.2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,753.1
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,254.2
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
776
3708
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link