RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
43
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
2416
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link