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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
2346
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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