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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
44
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
2425
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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