RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
3285
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link