RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
15.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
3594
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link