RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
50
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
1,892.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,181.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,892.9
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
851
2512
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G4D1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link