RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
56
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8800
Rund um 1.93 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,878.3
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,475.5
16.0
Speicherbandbreite, mbps
8800
17000
Other
Beschreibung
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
598
3550
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM-Vergleiche
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link