RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2268
2740
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link