RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
36
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2268
2208
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link