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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
36
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2268
2922
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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