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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
35
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2418
2068
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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