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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2418
2631
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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