RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
71
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2418
1902
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link