RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
35
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2926
2336
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link