RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
31
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2926
2447
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link