RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
34
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2926
2812
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link