RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
25
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2926
2620
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
INTENSO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link