RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2222
2687
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link