RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2222
2687
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link