RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
39
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2201
3017
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link