RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
3075
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link