RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
1949
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link