RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
1897
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link