RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3178
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link