RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
36
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3579
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link