RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
36
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3726
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link