RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2327
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link