RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
44
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
5.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1572
3635
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link