RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
73
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
13.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
3473
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link