RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
73
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.1
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.0
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
23.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
19.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
4276
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CM0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link